[18p-A23-1~17] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の基礎と最新技術動向

18:30 〜 18:45

[18p-A23-14] Co-ALD 初期成長過程の反射光分光その場観察

〇玉置 直樹¹、木村 俊介¹、吉田 幸希¹、山口 潤¹、佐藤 登¹、筑根 敦弘¹、百瀬 健¹、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工)

キーワード：

原子層成長、製膜初期過程、その場観察

CCTBA原料を用いて SiO2上に Co 薄膜を形成するALDの初期過程について、反射光分光その場観察手法で評価した。反射率低下のタイミングが初期核発生に対応し、核が成長して連続膜となるところで極小値をとる。核構造を想定した波動光学計算で製膜量に換算した。表面を-OH 終端するAPM処理で初期核発生が促進される一方、疎水化表面ではインキュベーション時間が長く、GPCも小さくなることがわかった。