[18p-A23-1~17] Fundamentals and Latest Technology Trends of Atomic Layer Process (ALP)

6:45 PM - 7:00 PM JST(9:45 AM - 10:00 AM UTC)

[18p-A23-15] Consideration of the effect of HfO₂/ZrO₂ interfaces on ferroelectric phase formation in HfO₂/ZrO₂ nanolaminate thin films

〇Takashi Onaya¹, Yasuhiro Sakuragawa¹, Rina Takahisa¹, Koji Kita¹ (1.GSFS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:

atomic layer deposition,HfO2-based ferroelectric thin film,nanolaminate thin film

強誘電体Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)膜は薄膜化(<10 nm)及び原子層堆積(ALD)法による成膜が可能であることから、3次元集積強誘電体デバイスへの応用が期待されている。このHZOの強誘電相は準安定な直方晶(O)相であり、優れた強誘電性を得るためにはHZO膜の結晶相の制御が重要である。一般にHZO膜として、ALD法によりHfO₂とZrO₂膜を交互に成膜したHfO₂/ZrO₂ナノラミネート膜が用いられている。一方、我々はこれまでにHfとZrが共に含まれるHf/ZrカクテルALD原料を用いることでHZO固溶体膜を形成した。本研究では、これらHZO膜の形成手法の違いが、強誘電相であるO相の形成に及ぼす効果について議論する。