[18p-A23-1~17] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の基礎と最新技術動向

18:45 〜 19:00

[18p-A23-15] HfO₂/ZrO₂界面がHfO₂/ZrO₂ナノラミネート薄膜の強誘電相出現に与える影響の考察

〇女屋 崇¹、櫻川 裕大¹、高久 理名¹、喜多 浩之¹ (1.東大院新領域)

キーワード：

原子層堆積法、HfO2系強誘電体薄膜、ナノラミネート薄膜

強誘電体Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)膜は薄膜化(<10 nm)及び原子層堆積(ALD)法による成膜が可能であることから、3次元集積強誘電体デバイスへの応用が期待されている。このHZOの強誘電相は準安定な直方晶(O)相であり、優れた強誘電性を得るためにはHZO膜の結晶相の制御が重要である。一般にHZO膜として、ALD法によりHfO₂とZrO₂膜を交互に成膜したHfO₂/ZrO₂ナノラミネート膜が用いられている。一方、我々はこれまでにHfとZrが共に含まれるHf/ZrカクテルALD原料を用いることでHZO固溶体膜を形成した。本研究では、これらHZO膜の形成手法の違いが、強誘電相であるO相の形成に及ぼす効果について議論する。