[18p-A23-1~17] Fundamentals and Latest Technology Trends of Atomic Layer Process (ALP)

7:00 PM - 7:15 PM JST(10:00 AM - 10:15 AM UTC)

[18p-A23-16] Growth mechanism of ALD-Ga₂O₃ thin films

〇Ryuto Ichikawa¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Metropolitan Univ.)

Keywords:

atomic layer deposition method,Ga2O3

酸化ガリウム (β-Ga₂O₃) は、パワーデバイスへの応用が期待されている。β-Ga₂O₃薄膜の成長には、原子レベルの膜厚制御が可能なALD 法が注目されている。本研究室では狭い空間内で製膜することができるALD装置を開発した。今回は、H₂Oによる側鎖の不動態化を抑えるために、様々な成長実験を行いGa₂O₃薄膜の成長機構について検討を行った。