[18p-A23-1~17] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の基礎と最新技術動向

19:00 〜 19:15

[18p-A23-16] ALD法で作製したGa₂O₃薄膜の成長機構

〇市川 龍斗¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.大阪公立大工)

キーワード：

ALD法、酸化ガリウム

酸化ガリウム (β-Ga₂O₃) は、パワーデバイスへの応用が期待されている。β-Ga₂O₃薄膜の成長には、原子レベルの膜厚制御が可能なALD 法が注目されている。本研究室では狭い空間内で製膜することができるALD装置を開発した。今回は、H₂Oによる側鎖の不動態化を抑えるために、様々な成長実験を行いGa₂O₃薄膜の成長機構について検討を行った。