Presentation Information
[18p-A23-17]Crystallographic orientation dependence of HfO2-based ultra-thin film growth on β-Ga2O3
〇(M1)Katsuhiro K Furukawa1, Ryuto Ichikawa1, Shodai Ata1, Takeshi Yoshimura1, Norifumi Fujimura1 (1.Osaka Metro. Univ.)
Keywords:
Ferroelectric,Semiconductor,ALD method
Hf系強誘電体は、3 nm程度の極薄膜で強誘電性を示すことから、高集積強誘電体ゲートトランジスタ(FeFET)への応用が期待されている。本研究室ではこれまで、微小空間で熱ALD法を行うことによって、少量の原料供給によるALD modeでの製膜およびSi基板上へのNon-doped HfO2のO相形成に成功している。今回は、同様の微小空間ALD装置を用いてSi上およびGa2O3上にHfO2極薄膜を作製した結果を報告する。
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