[18p-A23-1~17] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の基礎と最新技術動向

19:15 〜 19:30

[18p-A23-17] β-Ga₂O₃上のHfO₂系極薄膜成長の結晶方位依存性

〇(M1)古川 勝裕¹、市川 龍斗¹、阿多 翔大¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.大阪公立大院工)

キーワード：

強誘電体、半導体、ALD法

Hf系強誘電体は、3 nm程度の極薄膜で強誘電性を示すことから、高集積強誘電体ゲートトランジスタ(FeFET)への応用が期待されている。本研究室ではこれまで、微小空間で熱ALD法を行うことによって、少量の原料供給によるALD modeでの製膜およびSi基板上へのNon-doped HfO₂のO相形成に成功している。今回は、同様の微小空間ALD装置を用いてSi上およびGa₂O₃上にHfO₂極薄膜を作製した結果を報告する。