[18p-A31-1~19] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-A31-15] Self-limitation etching process of Si₃N₄ and Si using NF₃/SF₆ inductively coupled plasma

〇Kazuki Ozawa¹, Tetsuya Sato¹, Akitaka Shimizu² (1.Univ. of Yamanashi, 2.Tokyo Electron (TTS))

Keywords:

etching,self limitation

半導体メモリデバイスの2Dから3D構造への移行に伴い高アスペクト比の等方性エッチングが求められている。具体的には高アスペクト比のホール・トレンチ形状に対してTopからBottomにかけて同じエッチング量であることが望ましい。本研究ではこれらを達成するために反応生成物を利用したSelf-limitationに着目し、ガスケミストリー・反応温度などのエッチングプロセスに関する基礎的な知見を得ることを目的とした。今回、Si₃N₄および Si基板に対し、NF₃およびSF₆誘導結合プラズマ照射による等方性的エッチングを行い、エッチングレートの温度依存性を調査した。