[18p-A31-1~19] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[18p-A31-15] Si₃N₄およびSiのNF₃/SF₆誘導結合プラズマ照射によるSelf-limitationエッチングプロセス

〇小澤 一貴¹、佐藤 哲也¹、清水 昭貴² (1.山梨大工、2.東京エレクトロン(TTS))

キーワード：

エッチング、自己停止

半導体メモリデバイスの2Dから3D構造への移行に伴い高アスペクト比の等方性エッチングが求められている。具体的には高アスペクト比のホール・トレンチ形状に対してTopからBottomにかけて同じエッチング量であることが望ましい。本研究ではこれらを達成するために反応生成物を利用したSelf-limitationに着目し、ガスケミストリー・反応温度などのエッチングプロセスに関する基礎的な知見を得ることを目的とした。今回、Si₃N₄および Si基板に対し、NF₃およびSF₆誘導結合プラズマ照射による等方性的エッチングを行い、エッチングレートの温度依存性を調査した。