[18p-A31-1~19] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)

[18p-A31-19] Selective etching of SiO₂ over polycrystalline Si using PF₃/H₂ plasmas

〇ChihYu Ma¹, Shihnan Hsiao¹, Nikolay Britun¹, Makoto Sekine¹, Masaru Hori¹ (1.Nagoya Univ. Center for Low-temperature Plasma Sciences)

Keywords:

Etching,SiO2,PF3

本研究では、PF₃/H₂プラズマを用いてSiO₂と多結晶シリコン（Poly-Si）の選択エッチングを行いました。実験は室温で実施され、PF₃に水素を加えることでSiO₂のエッチング率が向上し、選択比が改善されることが確認されました。さらに、XPS分析によりSiO₂の表面にリン酸化合物が形成されていることが示され、これがエッチング性能の向上に寄与している可能性が示唆されました。