[18p-A31-1~19] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

18:15 〜 18:30

[18p-A31-19] PF₃/H₂プラズマを用いた Poly-Siに対するSiO₂の選択エッチング

〇馬 緻宇¹、蕭 世男¹、Britun Nikolay¹、関根 誠¹、堀 勝¹ (1.名大低温プラズマ科学研究センター)

キーワード：

エチンッチング、シリコン酸化膜、三フッ化リン

本研究では、PF₃/H₂プラズマを用いてSiO₂と多結晶シリコン（Poly-Si）の選択エッチングを行いました。実験は室温で実施され、PF₃に水素を加えることでSiO₂のエッチング率が向上し、選択比が改善されることが確認されました。さらに、XPS分析によりSiO₂の表面にリン酸化合物が形成されていることが示され、これがエッチング性能の向上に寄与している可能性が示唆されました。