[18p-A31-1~19] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-A31-8] Statistical Analysis of I–V Characteristic Changes by Plasma-Induced Damage in SiO₂/Si Structures

〇Shunya Kuronuma¹, Takahiro Goya¹, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

Plasma-Induced Damage,I-V Characteristic

半導体デバイス加工の中核をなすプラズマプロセスでは，プラズマ誘起ダメージ（PID）による被加工材料表面での欠陥形成が問題である．PID評価として，電極–絶縁膜–半導体（MOS）構造での電気特性測定が行われてきた．本研究では，電極面積による電流値の平均化効果に着目し，Q_Ramp値を用いた絶縁破壊評価手法を提案した．電極面積の異なるMOS構造の統計解析から，I–V特性変動の本質的機構について議論する．