講演情報
[18p-A31-8]SiO2/Si構造におけるプラズマ誘起ダメージによる電流電圧特性変化の統計的解析
〇黒沼 舜也1、郷矢 崇浩1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)
キーワード：
プラズマ誘起ダメージ、電気電圧特性
半導体デバイス加工の中核をなすプラズマプロセスでは，プラズマ誘起ダメージ（PID）による被加工材料表面での欠陥形成が問題である．PID評価として，電極–絶縁膜–半導体（MOS）構造での電気特性測定が行われてきた．本研究では，電極面積による電流値の平均化効果に着目し，QRamp値を用いた絶縁破壊評価手法を提案した．電極面積の異なるMOS構造の統計解析から，I–V特性変動の本質的機構について議論する．
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