[18p-A31-1~19] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[18p-A31-8] SiO₂/Si構造におけるプラズマ誘起ダメージによる電流電圧特性変化の統計的解析

〇黒沼 舜也¹、郷矢 崇浩¹、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工)

キーワード：

プラズマ誘起ダメージ、電気電圧特性

半導体デバイス加工の中核をなすプラズマプロセスでは，プラズマ誘起ダメージ（PID）による被加工材料表面での欠陥形成が問題である．PID評価として，電極–絶縁膜–半導体（MOS）構造での電気特性測定が行われてきた．本研究では，電極面積による電流値の平均化効果に着目し，Q_Ramp値を用いた絶縁破壊評価手法を提案した．電極面積の異なるMOS構造の統計解析から，I–V特性変動の本質的機構について議論する．