[18p-A31-1~19] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-A31-9] Dependence of Additive Gas Species on GaN Dry Etching Damage using Chlorine Plasma

〇Kohei Masuda¹, Takaya Ishino¹, Yoshifumi Zaizen¹, Katsuhisa Kugimiya¹, Yoshiya Hagimoto¹, Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions Corp.)

Keywords:

GaN,Plasma Process,Dry Etching

Ⅲ-Ⅴ族半導体である窒化ガリウム半導体（GaN）を用いたデバイス開発が進んでおり、微細化に伴いプラズマダメージによる特性劣化が懸念される。GaNをエッチングする際には塩素系のプラズマを用いて加工を行うのが一般的であるが、ガス種とダメージの関係は未解明なことが多い。そこで、BCl3やSiCl4といった塩素以外の元素を含むガスを用い、気相中に存在するラジカル・イオン種を変化させた際のダメージ評価を行った。