[18p-A31-1~19] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[18p-A31-9] GaN塩素プラズマ加工におけるダメージ発生に対する添加ガス種依存

〇増田 康平¹、石野 嵩弥¹、財前 義史¹、釘宮 克尚¹、萩本 賢哉¹、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株))

キーワード：

GaN、プラズマプロセス、ドライエッチング

Ⅲ-Ⅴ族半導体である窒化ガリウム半導体（GaN）を用いたデバイス開発が進んでおり、微細化に伴いプラズマダメージによる特性劣化が懸念される。GaNをエッチングする際には塩素系のプラズマを用いて加工を行うのが一般的であるが、ガス種とダメージの関係は未解明なことが多い。そこで、BCl3やSiCl4といった塩素以外の元素を含むガスを用い、気相中に存在するラジカル・イオン種を変化させた際のダメージ評価を行った。