[18p-B1-1~20] 13.9 Compound solar cells

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[18p-B1-14] Fabrication of patterned dielectric back contacts for InGaAs thermophotovoltaic cells

〇Masaki Date^1,2, Ryuji Oshima², Yasushi Shoji², Hitoshi Sai², Makoto Shimizu³, Takeyoshi Sugaya², Shuhei Yagi¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ., 2.AIST, 3.Graduate School of Engineering, Tohoku Univ.)

Keywords:

Solar cells,Thermophotovoltaics,Molecular beam epitaxy

TPVは熱輻射光を入力として太陽電池セルで発電する技術である。高効率化にはサブバンドギャップのフォトンをサーマルエミッタへ反射し、再利用することが重要である。本研究では裏面にSiO₂を用いたパターン化誘電体裏面電極(PDBC)を形成した逆積みInGaAsセルを作製し、1700 nmから2300 nmまでの平均反射率を評価した。その結果、金属のみの場合は85.9%であったのに対し、PDBC直径4 µmでは95.4%に向上した。