[18p-B1-1~20] 13.9 化合物太陽電池

16:45 〜 17:00

[18p-B1-14] InGaAs熱光起電力発電セルへ向けたパターン化誘電体裏面電極の作製

〇伊達 仁基^1,2、大島 隆治²、庄司 靖²、斎 均²、清水 信³、菅谷 武芳²、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工、2.産総研、3.東北大院工)

キーワード：

太陽電池、熱光起電力発電、分子線エピタキシー法

TPVは熱輻射光を入力として太陽電池セルで発電する技術である。高効率化にはサブバンドギャップのフォトンをサーマルエミッタへ反射し、再利用することが重要である。本研究では裏面にSiO₂を用いたパターン化誘電体裏面電極(PDBC)を形成した逆積みInGaAsセルを作製し、1700 nmから2300 nmまでの平均反射率を評価した。その結果、金属のみの場合は85.9%であったのに対し、PDBC直径4 µmでは95.4%に向上した。