[18p-B1-1~20] 13.9 Compound solar cells

6:30 PM - 6:45 PM JST(9:30 AM - 9:45 AM UTC)

[18p-B1-20] Anisotropic etching and annealing for germanium-on-nothing structure

〇(M2)Wenbo Fan¹, Ryuji Oshima², Yasushi Shoji², Takeyoshi Sugaya², Shuhei Yagi¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ., 2.AIST)

Keywords:

Germanium,Dry etching,III-V compound semiconductor solar cells

Germanium-on-nothing技術による基板再利用法は、III-V族太陽電池の大幅なコストダウンが実現できるアプローチとして注目されている。本発表では、Ge基板上に直径1 umのホールパターンを作製し、エッチング深さとボイド層形状の関係、及び表面Ge層の剥離転写の可能性を検討した。DRIE装置により9以上のアスペクト比でホール部の異方性エッチングを実現した。水素雰囲気下でアニールした結果、平坦な表面層とその下方のボイド層が形成された。