[18p-B1-1~20] 13.9 化合物太陽電池

18:30 〜 18:45

[18p-B1-20] GON構造形成に向けたGeの異方性エッチングとアニール処理の検討

〇(M2)范 文博¹、大島 隆治²、庄司 靖²、菅谷 武芳²、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工、2.産総研)

キーワード：

ゲルマニウム、ドライエッチング、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体太陽電池

Germanium-on-nothing技術による基板再利用法は、III-V族太陽電池の大幅なコストダウンが実現できるアプローチとして注目されている。本発表では、Ge基板上に直径1 umのホールパターンを作製し、エッチング深さとボイド層形状の関係、及び表面Ge層の剥離転写の可能性を検討した。DRIE装置により9以上のアスペクト比でホール部の異方性エッチングを実現した。水素雰囲気下でアニールした結果、平坦な表面層とその下方のボイド層が形成された。