[18p-B3-1~12] CS.7 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

1:00 PM - 1:15 PM JST(4:00 AM - 4:15 AM UTC)

[18p-B3-1] Relationship between polarization states and computational performance in physical reservoir computing using ferroelectric-gate FETs

〇Yu Ukezeki¹, Hiroto Yamada¹, Norifumi Fujimura¹, Tokuji Yokomatsu², Kazusuke Maenaka², Kasidit Toprasertpong³, Shinichi Takagi³, Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Metro. Univ., 2.Univ. of Hyogo, 3.The univ. of Tokyo)

Keywords:

reservoir computing,FeFET

物理現象を用いて高速で低消費電力な機械学習を可能にする物理リザバーコンピューティング(PRC)において、我々は強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)に注目している。Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜を用いたFeFETにおいてはPRCの動作の実証、動作電圧の最適化による学習性能の向上が報告されている。本研究では強誘電体薄膜の分極挙動と学習性能との関係性の調査を目的として、電極面積の異なるmetal-ferroelectric-metalキャパシタとMOSFETによりmetal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor構造のFeFETを構成し、特性評価を行った。