[18p-B3-1~12] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

13:00 〜 13:15

[18p-B3-1] 強誘電体ゲートFETを用いた物理リザバー計算における分極状態と学習性能の関係

〇請関 優¹、山田 洋人¹、藤村 紀文¹、横松 得滋²、前中 一介²、Kasidit Toprasertpong³、高木 信一³、吉村 武¹ (1.阪公大工、2.兵庫県大工、3.東大工)

キーワード：

リザバーコンピューティング、強誘電体ゲート電界効果トランジスタ

物理現象を用いて高速で低消費電力な機械学習を可能にする物理リザバーコンピューティング(PRC)において、我々は強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)に注目している。Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜を用いたFeFETにおいてはPRCの動作の実証、動作電圧の最適化による学習性能の向上が報告されている。本研究では強誘電体薄膜の分極挙動と学習性能との関係性の調査を目的として、電極面積の異なるmetal-ferroelectric-metalキャパシタとMOSFETによりmetal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor構造のFeFETを構成し、特性評価を行った。