[18p-B3-1~12] CS.7 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-B3-10] Crystallization of Al:HfO₂ Thin Films by Flash Lamp Annealing

〇Tomoya Mifune¹, Hideaki Tanimura^1,2, Yuma Ueno², Hironori Fujisawa¹, Seiji Nakashima¹, Ai I. Osaka¹, Shinichi Kato², Takumi Mikawa² (1.Univ. of Hyogo, 2.SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd.)

Keywords:

Flash Lamp Annealing,HfO2

我々はフラッシュランプアニール(FLA)を用いて，Al :HfO₂(HAO)薄膜の結晶化に取り組んだ．FLAは直方晶の形成を促進し、2Prを向上させるなど，HAO薄膜の結晶化に適した熱処理法であることを示した．本研究ではFLA処理により，Al組成2%のHAO薄膜において50µC/cm²を超える大きな2Prを得たので報告する．