講演情報
[18p-B3-10]フラッシュランプアニールによるAl:HfO2薄膜の結晶化
〇三船 智哉1、谷村 英昭1,2、植野 雄守2、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1、加藤 慎一2、三河 巧2 (1.兵庫県大工、2.SCREEN セミコンダクターソリューションズ)
キーワード：
フラッシュランプアニール、ハフニア
我々はフラッシュランプアニール(FLA)を用いて，Al :HfO2(HAO)薄膜の結晶化に取り組んだ．FLAは直方晶の形成を促進し、2Prを向上させるなど，HAO薄膜の結晶化に適した熱処理法であることを示した．本研究ではFLA処理により，Al組成2%のHAO薄膜において50µC/cm2を超える大きな2Prを得たので報告する．
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