[18p-B3-1~12] CS.7 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[18p-B3-4] Correlative Behavior between Defect Generation and Ferroelectricity in First Application of Electric field to Hf_0.5Zr_0.5O₂ MFM capacitors

〇Yukinori Morita¹, Shutaro Asanuma¹, Hiroyuki Ota¹, Shinji Migita¹ (1.AIST)

Keywords:

Ferroelectricity,Hf0.5Zr0.5O2,Defect

強誘電性Hf_0.5Z_0.5O₂ (HZO)を用いたMetal-Ferroelectric-Metal (MFM)キャパシタに対し、最初の電界印加によって、HZO中に欠陥が生成され、電気的特性が変化することを報告してきた。この電界印加過程において、印加電圧と電気的特性の変化を詳細に検証することで、欠陥生成とHZO膜の強誘電性との関連を調査した。