[18p-B3-1~12] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

13:45 〜 14:00

[18p-B3-4] Hf_0.5Zr_0.5O₂ MFMキャパシタに対する最初の電界印加時における欠陥生成と強誘電性の相関

〇森田 行則¹、浅沼 周太郎¹、太田 裕之¹、右田 真司¹ (1.産総研)

キーワード：

強誘電体、Hf0.5Zr0.5O2、欠陥

強誘電性Hf_0.5Z_0.5O₂ (HZO)を用いたMetal-Ferroelectric-Metal (MFM)キャパシタに対し、最初の電界印加によって、HZO中に欠陥が生成され、電気的特性が変化することを報告してきた。この電界印加過程において、印加電圧と電気的特性の変化を詳細に検証することで、欠陥生成とHZO膜の強誘電性との関連を調査した。