[18p-B3-1~12] CS.7 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18p-B3-9] Lattice spacing and ferroelectric properties of CeO₂-HfO₂-ZrO₂ thin films

〇Kouhei Shimonosono¹, Yoshiki Maekawa¹, Nachi Cyaya¹, Okamoto Kazuki¹, Wakiko Yamaoka², Yasushi Kawashima², Yukari Inoue², Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.TDK Corp.)

Keywords:

Ferroelectric thin film,HfO2,PLD method

HfO₂基強誘電体は、2011年に強誘電性が報告され、新たな強誘電体材料としての注目が集まっている。HfO₂基強誘電体はHfO₂-ZrO₂やYO_1.5-HfO₂をはじめとする様々な組成系で強誘電体薄膜作製の報告例がある。特に、CeO₂-HfO₂は広いCe/(Ce+Hf)で強誘電性を示し、報告されているHfO₂基強誘電体の中で平均イオン半径が最大であることが報告されている。今回はすべての母材料が蛍石構造を有する酸化物で構成されるCeO₂-HfO₂-ZrO₂薄膜を作製し、その格子間隔と強誘電性の評価を行った。