[18p-B3-1~12] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[18p-B3-9] CeO₂-HfO₂-ZrO₂薄膜の格子間隔と強誘電性の評価

〇下野園 航平¹、前川 芳輝¹、茶谷 那知¹、岡本 一輝¹、山岡 和希子²、川島 康²、井上 ゆか梨²、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.TDK株式会社)

キーワード：

強誘電体薄膜、HfO2、PLD法

HfO₂基強誘電体は、2011年に強誘電性が報告され、新たな強誘電体材料としての注目が集まっている。HfO₂基強誘電体はHfO₂-ZrO₂やYO_1.5-HfO₂をはじめとする様々な組成系で強誘電体薄膜作製の報告例がある。特に、CeO₂-HfO₂は広いCe/(Ce+Hf)で強誘電性を示し、報告されているHfO₂基強誘電体の中で平均イオン半径が最大であることが報告されている。今回はすべての母材料が蛍石構造を有する酸化物で構成されるCeO₂-HfO₂-ZrO₂薄膜を作製し、その格子間隔と強誘電性の評価を行った。