[18p-C41-1~8] Interdisciplinary Expansion of Interfacial Nano-Electrochemistry -From Advanced Semiconductors to Biosciences-

3:30 PM - 4:00 PM JST(6:30 AM - 7:00 AM UTC)

[18p-C41-5] Effect of Hydrophobicity and Surface Potential of Silicon on SiO₂ Etching in Nanometer-Sized Narrow Spaces

〇Shohei Miyagawa¹, Dai Ueda², Yosuke Hanawa¹, Hiroaki Kitagawa², Naozumi Fujiwara², Masayuki Otsuji¹, Hiroaki Takahashi², Kazuhiro Fukami³ (1.SCREEN Holdings Co., Ltd., 2.SCREEN Semiconductor Solutions Co., Ltd., 3.Kyoto Univ.)

Keywords:

semiconductor,wet etching,narrow spaces

狭所内ではその幅が狭い程、材料のエッチングレート(ER)が低下する。これにより、狭所幅の異なる材料のERが不均一になることが半導体ウェットプロセスで課題となっている。本研究では、シリコンに挟まれたSiO₂について、不均一なERの改善手法を検証した。添加剤を用いたエッチング評価から、壁面の疎水性と表面電位の制御によるイオン輸送で改善可能であることを支持する結果を得たので、その詳細を報告する。