[18p-C41-1~8] 異分野に拡がる界面ナノ電子化学 　～最先端半導体からバイオサイエンスまで～

15:30 〜 16:00

[18p-C41-5] nmサイズの狭所内SiO₂ エッチングにおけるシリコンの疎水性及び表面電位の効果

〇宮川 彰平¹、上田 大²、塙 洋祐¹、北川 広明²、藤原 直澄²、尾辻 正幸¹、髙橋 弘明²、深見 一弘³ (1.株式会社SCREENホールディングス、2.株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ、3.京大院工)

キーワード：

半導体、ウェットエッチング、狭所空間

狭所内ではその幅が狭い程、材料のエッチングレート(ER)が低下する。これにより、狭所幅の異なる材料のERが不均一になることが半導体ウェットプロセスで課題となっている。本研究では、シリコンに挟まれたSiO₂について、不均一なERの改善手法を検証した。添加剤を用いたエッチング評価から、壁面の疎水性と表面電位の制御によるイオン輸送で改善可能であることを支持する結果を得たので、その詳細を報告する。