[18p-P11-1~3] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[18p-P11-3] A trial of optically detected magnetic resonance (ODMR) for interfacial single photon sources in 4H-SiC MOSFET

〇(M2)Sosuke Horiuchi¹, Bunta Shimabukuro¹, Moriyoshi Haruyama², Toshiharu Makino², Hiromitsu Kato², Mitsuo Okamoto², Shinsuke Harada², Takahide Umeda¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST.)

Keywords:

Single photon source,MOS interface defect,Optically detected magnetic resonance

単一光子源(SPS)の研究が炭化ケイ素(SiC)においても盛んに行われており、SiCでは表面酸化あるいはMOS界面に界面SPSの存在が報告されている。しかし、界面SPSがスピン欠陥かどうかは明らかになっておらず、スピンをもつことを証明するための光検出磁気共鳴(ODMR)実験に成功した例はない。本発表ではODMR実験のための測定試料の作りこみをはじめ、界面SPSに対するODMR測定について報告する。