[19a-A31-1~11] 17.3 Layered materials

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[19a-A31-2] Mechanism of In-plane Alignment of MoS₂ on Sapphire Substrate by vdW Epitaxy

〇Yoshiki Sakuma¹, Takanobu Hiroto¹, Jun Nara¹, Yuki Ono², Takashi Matsumoto² (1.NIMS, 2.Tokyo Electron Technology Solutions Ltd.)

Keywords:

TMDC,MoS2,MOCVD

我々はこれまで、MOCVD方式のTMDC成膜技術を開発し、C面サファイア上で高配向のMoS₂単層膜の形成を報告してきた。今回は、サファイア基板上の単層MoS₂の成膜過程と面内配向性に関して、van der Waals (vdW) エピタキシーの観点からメカニズムを議論する。