[19a-A31-1~11] 17.3 層状物質

9:15 〜 9:30

[19a-A31-2] vdWエピタキシーによるサファイア基板上MoS₂の面内配向メカニズム

〇佐久間 芳樹¹、廣戸 孝信¹、奈良 純¹、小野 佑樹²、松本 貴士² (1.物材機構、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ㈱)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、MoS2、MOCVD

我々はこれまで、MOCVD方式のTMDC成膜技術を開発し、C面サファイア上で高配向のMoS₂単層膜の形成を報告してきた。今回は、サファイア基板上の単層MoS₂の成膜過程と面内配向性に関して、van der Waals (vdW) エピタキシーの観点からメカニズムを議論する。