[19a-A31-1~11] 17.3 Layered materials

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-A31-3] WS₂ thin film deposition by Atomic Layer Deposition using Organic Precursors

〇Hiroshi Yokota¹, Hideaki Machida², Masato Ishikawa², Hiroshi Sudo², Hitoshi Wakabayashi³, Naomi Sawamoto^1,4, Ryo Yokogawa^1,4, Atsushi Ogura^1,4 (1.School of Science and Technology, Meiji Univ., 2.Gas-phase Growth Ltd., 3.Tokyo Tech, 4.Meiji Renewable Energy Laboratory, Meiji Univ.)

Keywords:

Transition Metal Dichalcogenide(TMD),Tungsten disulfide(WS2),Atomic Layer Deposition(ALD)

二硫化タングステン(WS₂)は代表的な2次元層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)材料であり、高キャリア移動度を有し、層数に応じてバンドギャップが変化する性質から、次世代半導体デバイス材料として注目されている。これまで、我々は低温成膜が可能な新規原料を開発し、MOCVD成膜を行ってきた。本研究では、より膜均一性や層数制御性が高いALD法を適用し、WS₂薄膜の結晶構造や結晶状態、I-V特性を評価した。