[19a-A31-1~11] 17.3 層状物質

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[19a-A31-3] 有機原料を用いたALD法によるWS₂薄膜成長

〇横田 浩¹、町田 英明²、石川 真人²、須藤 弘²、若林 整³、澤本 直美^1,4、横川 凌^1,4、小椋 厚志^1,4 (1.明治大理工、2.気相成長株式会社、3.東工大、4.明大MREL)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化タングステン、原子層堆積法

二硫化タングステン(WS₂)は代表的な2次元層状遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)材料であり、高キャリア移動度を有し、層数に応じてバンドギャップが変化する性質から、次世代半導体デバイス材料として注目されている。これまで、我々は低温成膜が可能な新規原料を開発し、MOCVD成膜を行ってきた。本研究では、より膜均一性や層数制御性が高いALD法を適用し、WS₂薄膜の結晶構造や結晶状態、I-V特性を評価した。