[19a-A31-1~11] 17.3 Layered materials

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-A31-5] Improvement of film quality by H₂S annealing for HfS₂ film prepared by sputtering method using powder target

〇Taichi Ishikawa¹, Koki Hori^1,2, Naoya Okada², Ryo Yokogawa^1,3, Atsushi Ogura^1,3 (1.Meiji Univ., 2.AIST, 3.MREL)

Keywords:

TMD,HfS2,H2S annealing

HfS₂は遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の中でも高移動度かつ、約1.2 eVのバンドギャップを持つなど次世代チャネル材料として魅力的な特性を有している。一方、これまで固体ターゲットを用いたスパッタ法による成膜は困難で、我々は粉体ターゲットを用いることでスパッタ法によるHfS₂成膜を報告している。今回、スパッタ法で成膜したHfS₂膜をh-BN保護膜を通してH₂S雰囲気でアニールすることで膜質の改善が確認されたので報告する