講演情報
[19a-A31-5]粉体ターゲットを用いたスパッタ法で作製したHfS2膜のH2Sアニールによる膜質改善
〇石川 太一1、堀 幸妃1,2、岡田 直也2、横川 凌1,3、小椋 厚志1,3 (1.明治大理工、2.産総研、3.明大MREL)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化ハフニウム、H2Sアニール
HfS2は遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の中でも高移動度かつ、約1.2 eVのバンドギャップを持つなど次世代チャネル材料として魅力的な特性を有している。一方、これまで固体ターゲットを用いたスパッタ法による成膜は困難で、我々は粉体ターゲットを用いることでスパッタ法によるHfS2成膜を報告している。今回、スパッタ法で成膜したHfS2膜をh-BN保護膜を通してH2S雰囲気でアニールすることで膜質の改善が確認されたので報告する
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