[19a-A31-1~11] 17.3 Layered materials

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[19a-A31-6] Growth mechanism of segregated germanene revealed by in-situ Raman spectroscopy

〇Tomoo Terasawa^1,2, Daiki Katsube³, Masahiro Yano¹, Takahiro Ozawa², Yasutaka Tsuda¹, Akitaka Yoshigoe¹, Hidehito Asaoka¹, Seiya Suzuki¹ (1.JAEA, 2.IIS, Univ. of Tokyo, 3.JFCC)

Keywords:

germanene,In-situ observation,Raman spectroscopy

Ge(111)基板に蒸着したAg薄膜を加熱すると、Ge原子が表面偏析しゲルマネンを形成する。この過程において、500℃からの急冷によってゲルマネンが形成することがわかっていたが、成長機構の詳細は未解明であった。そこで本研究では試料の冷却過程をその場ラマン分光法により観察した。その結果、500℃から300℃への冷却過程においてゲルマネンが形成することを見出した。一方、室温から300℃に昇温した試料においてはゲルマネンが形成しなかった。すなわち、ゲルマネンの形成への速度論の効果が示唆された。当日はその場XPSの結果も合わせてゲルマネンの成長機構を議論する。