[19a-A31-1~11] 17.3 層状物質

10:15 〜 10:30

[19a-A31-6] 偏析ゲルマネンの成長機構のその場ラマン散乱分光による解明

〇寺澤 知潮^1,2、勝部 大樹³、矢野 雅大¹、小澤 孝拓²、津田 泰孝¹、吉越 章隆¹、朝岡 秀人¹、鈴木 誠也¹ (1.原研、2.東大生研、3.JFCC)

キーワード：

ゲルマネン、その場観察、ラマン分光

Ge(111)基板に蒸着したAg薄膜を加熱すると、Ge原子が表面偏析しゲルマネンを形成する。この過程において、500℃からの急冷によってゲルマネンが形成することがわかっていたが、成長機構の詳細は未解明であった。そこで本研究では試料の冷却過程をその場ラマン分光法により観察した。その結果、500℃から300℃への冷却過程においてゲルマネンが形成することを見出した。一方、室温から300℃に昇温した試料においてはゲルマネンが形成しなかった。すなわち、ゲルマネンの形成への速度論の効果が示唆された。当日はその場XPSの結果も合わせてゲルマネンの成長機構を議論する。