[19a-A36-1~7] 8.3 Plasma nanotechnology

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-A36-4] Effect of post-annealing treatment on silicon nanocone structure induced by hydrogen plasma

〇Ken Sakamoto¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Hiromasa Ohmi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:

silicon,post anneal,defect

シリコン（Si）表面に形成された光の波長スケールの円錐構造（ナノコーン構造）は、Siと周囲媒体の界面に生成される擬似的な傾斜屈折率により、Si表面の絶対光反射率を大幅に低減させることができるため、高効率太陽電池への応用が期待されている。今回は、作製したナノコーン構造に対するポストアニールの効果を、Siナノコーンの光反射率、表面・断面形態、ならびに結晶性の観点で評価したので報告する。