[19a-A36-1~7] 8.3 プラズマナノテクノロジー

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[19a-A36-4] 水素プラズマ誘起シリコンナノコーン構造にポストアニール処理が及ぼす影響

〇坂本 健¹、垣内 弘章¹、大参 宏昌¹ (1.大阪大工)

キーワード：

シリコン、ポストアニール、欠陥

シリコン（Si）表面に形成された光の波長スケールの円錐構造（ナノコーン構造）は、Siと周囲媒体の界面に生成される擬似的な傾斜屈折率により、Si表面の絶対光反射率を大幅に低減させることができるため、高効率太陽電池への応用が期待されている。今回は、作製したナノコーン構造に対するポストアニールの効果を、Siナノコーンの光反射率、表面・断面形態、ならびに結晶性の観点で評価したので報告する。