[19a-B2-1~8] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-B2-1] GaAs/AlGaAs core-shell nanowires on 2-inch Si substrate showing high light absorption/emission/thermal properties

〇Keisuke Minehisa^1,2, Hidetoshi Hashimoto^1,2, Kaito Nakama^1,2, Hiroto Kise¹, Shino Sato¹, Junichi Takayama¹, Satoshi Hiura¹, Akihiro Murayama¹, Fumitaro Ishikawa^1,2 (1.Hokkaido Univ., 2.Hokkaido Univ. RCIQE)

Keywords:

nanowire,MBE,photoluminescence

Si上のIII-V族半導体GaAsナノワイヤ(NW)は次世代デバイスへの応用が期待されており、これまで我々は2インチSi基板上GaAs/AlGaAsコア－シェルNWの大面積成長を報告している。今回、同試料の室温から高温における光学特性を評価した結果、ストークスシフトはほぼ存在しないことが示唆された。また、時間分解PL測定のキャリア寿命は1 nsを超え、AlGaAsシェルによってGaAsコアが効果的にパッシベーションされ、表面非発光再結合が抑制されている。