[19a-B2-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[19a-B2-1] 高い光吸収/発光/熱特性を示す２インチSi基板上GaAs/AlGaAsコアーシェルナノワイヤ

〇峰久 恵輔^1,2、橋本 英季^1,2、中間 海音^1,2、木瀬 寛都¹、佐藤 紫乃¹、高山 純一¹、樋浦 諭志¹、村山 明宏¹、石川 史太郎^1,2 (1.北大院情報科学、2.北大量集セ)

キーワード：

ナノワイヤ、分子線エピタキシー、フォトルミネッセンス

Si上のIII-V族半導体GaAsナノワイヤ(NW)は次世代デバイスへの応用が期待されており、これまで我々は2インチSi基板上GaAs/AlGaAsコア－シェルNWの大面積成長を報告している。今回、同試料の室温から高温における光学特性を評価した結果、ストークスシフトはほぼ存在しないことが示唆された。また、時間分解PL測定のキャリア寿命は1 nsを超え、AlGaAsシェルによってGaAsコアが効果的にパッシベーションされ、表面非発光再結合が抑制されている。