[19a-B5-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-B5-2] Bandgap Energy Evaluation of Strain-Free Bulk Si_1-xGe_x by Photoluminescence Spectroscopy

〇Yuta Ito¹, Ryo Yokogawa^1,2, Takuya Minowa¹, Yasutomo Arai³, Ichiro Yonenaga⁴, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.JAXA, 4.Tohoku Univ.)

Keywords:

single crystalline bulk SiGe,Bandgap,Photoluminescence

バンドギャップは半導体の最も基本的な物性でありデバイスの設計において非常に重要なパラメータとして、正確な理解が必要である。SiGeの物性値の多くは多結晶バルクSiGeおよびSi基板の薄膜の実験値からの導出が行われてきたが粒界、ひずみ、基板等の影響を完全に排除することは難しい。本研究では、無ひずみ単結晶バルクSi_1-xGe_xのPL分光測定を行い、精密なGe組成とバンドギャップの関係の実測を行った。