[19a-B5-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[19a-B5-2] PL分光法による無ひずみ単結晶バルクSi_1-xGe_xのバンドギャップエネルギー評価

〇伊藤 佑太¹、横川 凌^1,2、箕輪 卓哉¹、荒井 康智³、米永 一郎⁴、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.JAXA、4.東北大)

キーワード：

単結晶バルクSiGe、バンドギャップ、フォトルミネッセンス

バンドギャップは半導体の最も基本的な物性でありデバイスの設計において非常に重要なパラメータとして、正確な理解が必要である。SiGeの物性値の多くは多結晶バルクSiGeおよびSi基板の薄膜の実験値からの導出が行われてきたが粒界、ひずみ、基板等の影響を完全に排除することは難しい。本研究では、無ひずみ単結晶バルクSi_1-xGe_xのPL分光測定を行い、精密なGe組成とバンドギャップの関係の実測を行った。