[19a-B5-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-B5-3] Evaluation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si_1-xSn_x (Ⅱ)

〇Hiroki Ishizaki¹, Ryo Yokogawa^1,2, Takuya Minowa¹, Masashi Kurosawa³, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ.)

Keywords:

silicon-tin

SiSnはSn添加を増加させることにより直接遷移型半導体に変化するため、次世代光デバイスへの応用が期待されている。しかし、実測定によるSiSnのバンド構造は未だ明らかになっていない。よって、本研究では、分光エリプソメトリー及びPL法用いて単結晶歪SiSnのバンドギャップエネルギーを測定した。測定結果から単純に外挿して直接遷移型を得るために必要なSn組成を導出すると約50%であると考えられる。