[19a-B5-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[19a-B5-3] 単結晶歪Si_1-xSn_xのバンド構造評価(Ⅱ)

〇石崎 寛規¹、横川 凌^1,2、箕輪 卓哉¹、黒澤 昌志³、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.名大院工)

キーワード：

シリコンスズ

SiSnはSn添加を増加させることにより直接遷移型半導体に変化するため、次世代光デバイスへの応用が期待されている。しかし、実測定によるSiSnのバンド構造は未だ明らかになっていない。よって、本研究では、分光エリプソメトリー及びPL法用いて単結晶歪SiSnのバンドギャップエネルギーを測定した。測定結果から単純に外挿して直接遷移型を得るために必要なSn組成を導出すると約50%であると考えられる。