[19a-B5-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[19a-B5-4] Tilting effect of sidewalls on trench-filling growth of Ge on Si

〇Takumi Maeda¹, Jose A. Piedra-Lorenzana¹, Keisuke Yamane¹, Takeshi Hizawa¹, Tetsuya Nakai², Yasuhiko Ishikawa¹ (1.Toyohashi Univ. Tech., 2.SUMCO)

Keywords:

Germanium,Trench filling growth,Chemical vapor deposition

超高真空化学気相堆積法でSi上に数μmのGe層を短時間形成する方法として，Si(001)基板上へのトレンチ埋め込み成長を提案した.トレンチを[110]方向から45°傾いた[100]方向に形成することで側壁の{010}面からのGe成長を利用でき，成長時間を短縮できる.今回は,数µmの深いトレンチへの埋め込み成長及びトレンチ側壁の傾斜効果について報告する.