講演情報
[19a-B5-4]Si上Ge埋め込み成長におけるトレンチ側壁の傾斜効果
〇前田 匠海1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、山根 啓輔1、飛沢 健1、中井 哲弥2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.SUMCO)
キーワード：
ゲルマニウム、トレンチ埋め込み成長、化学気相堆積
超高真空化学気相堆積法でSi上に数μmのGe層を短時間形成する方法として，Si(001)基板上へのトレンチ埋め込み成長を提案した.トレンチを[110]方向から45°傾いた[100]方向に形成することで側壁の{010}面からのGe成長を利用でき，成長時間を短縮できる.今回は,数µmの深いトレンチへの埋め込み成長及びトレンチ側壁の傾斜効果について報告する.
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