[19a-B5-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[19a-B5-7] InP-lattice-matched GeSnOI MSM Photodetector by Layer Transfer Technique

〇Tatsuro Maeda¹, Hiroyuki Ishii¹, Wen-Hsin Chang¹, Komei Takagi², Shigehisa Shibayama², Masashi Kurosawa², Osamu Nakatsuka² (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:

Germanium,Tin,Photodetector

近年、GeSnを使った高品質な結晶成長やその赤外領域の光電子特性の研究の進捗が著しいが、Sn組成10%を超えるGeSn膜は結晶成長が困難なことから、その物性を含めて未知な部分が多い。これまでに我々は、InP基板に格子整合したGeSn膜の結晶成長に着目し、Sn組成25%を超える膜の結晶成長が可能であることを示してきた。今回、このGeSn/InP基板の接合とInP基板の除去でGeSnOI構造を作成し、GeSn膜単膜の MSMフォトディテクターの試作をしたので報告する。