[19a-B5-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

11:00 〜 11:15

[19a-B5-7] 転写を用いたInP格子整合系GeSnOI MSMフォトディテクターの試作

〇前田 辰郎¹、石井 裕之¹、張 文馨¹、高木 孝明²、柴山 茂久²、黒澤 昌志²、中塚 理² (1.産総研、2.名大院工)

キーワード：

ゲルマニウム、錫、フォトディテクター

近年、GeSnを使った高品質な結晶成長やその赤外領域の光電子特性の研究の進捗が著しいが、Sn組成10%を超えるGeSn膜は結晶成長が困難なことから、その物性を含めて未知な部分が多い。これまでに我々は、InP基板に格子整合したGeSn膜の結晶成長に着目し、Sn組成25%を超える膜の結晶成長が可能であることを示してきた。今回、このGeSn/InP基板の接合とInP基板の除去でGeSnOI構造を作成し、GeSn膜単膜の MSMフォトディテクターの試作をしたので報告する。